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用GaN技术改变5G射频前端

2018-06-21 16:43:33 网络整理 阅读:147 评论:0

随着第五代移动通信技术标准(5G NR)独立组网(SA, Standalone)功能在3GPP第80次TSG RAN全会上的正式冻结,5G已经完成第一阶段全功能标准化工作,进入了产业全面冲刺新阶段。

被5G改变的射频前端

“移动数据吞吐量的每一次增长都是通过RF性能的提升来实现的。”Qorvo无线基础设施及国防产品高性能解决方案事业部总经理Roger Hall说,从2G到4G再到将来的5G,高速增长的数据流量使得调制解调难度不断增加,需要的频段越来越多,对射频前端器件的性能要求也越来越高。而载波聚合技术的出现,更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求增长了一倍以上。

用GaN技术改变5G射频前端

数据显示,全球4G/5G基站市场规模将在2022年达到16亿美元,其中,用于Sub-6GHz频段的M-MIMO PA器件年复合增长率将达到135%,用于5G毫米波频段的射频前端模块年复合增长率将达到119%。

用GaN技术改变5G射频前端

5G射频系统非常复杂,尤其是那些需要使用高载波频率和宽频带的新技术,包括载波聚合、Massive MIMO等。因此,对于拥有GaN、GaAs和SiGe等完整工艺的Qorvo来说,其核心战略不仅仅是提..品,更重要的,是如何把这些元件整合进系统中,是如何建议用户在合适的应用场景中选择合适的低功耗系统级解决方案。

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