肖特基势垒二极管简称肖特基二极管或肖特基管。
英文全称:Schottky Barrier Diode
英文缩写:SBD
肖特基二极管,属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右,反向恢复时间极短,可小至几纳秒;其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管的工作原理
肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极,用N型半导体材料为阴极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性,从而制成的一种金属/半导体器件。
肖特基二极管属于五层器件,中间层以N型半导体为基片,上面用砷作掺杂剂的N-外延层,最上面用金属材料钼构成的阳极。
N型基片具备很小的导通电阻,在基片下面依次是N+阴极层、金属阴极。
如下图所示:典型的肖特基二极管的内部结构
典型的肖特基二极管的内部结构