Tao等采用相似的方法也制备出稳定的Si@void@C复合材料，循环100次后的比容量为780mA·h/g。碳负载量的优化发现，复合材料中碳负载量为63%时的比容量(780mA·h/g)高于碳负载量为72%时的比容量(690mA·h/g)。这表明要实现Si@void@C复合材料的最大容量，还需要对蛋黄-壳结构进行深入的优化设计。
Liu等以聚多巴胺为碳源合成出蛋黄-壳复合材料(Si@void@C)。在该结构中，硅内核和薄碳层之间预留了充足的空间，使硅在锂化膨胀时不破坏碳壳层，从而使复合材料表面能形成稳定的SEI膜。
这种Si@void@C在0.1C电流密度下，可逆容量高达2800mA·h/g，循环1000次后有74%的容量保持率以及99.84%的Coulomb效率。
近来，研究者将多壳层概念引入到硅碳蛋黄-壳结构设计中，以增强碳层的机械性能，提高材料抵抗硅体积膨胀应力的能力。
Sun等通过囊泡模板法制备出Si@void@SiO2材料，并在多孔SiO2壳层内外侧涂覆多糖，于惰性气氛下高温热解得到Si@void@C@SiO2@C，经HF刻蚀除去SiO2后，得到具有双壳层结构(Si@void@C@void@C)的蛋黄-壳型复合材料(Si@DC)，见图B。
双碳层的引入使材料具有更为优异的导电性能。在50mA/g电流密度下，Si@DC在循环80次后的放电比容量保持943.8mA·h/g，而硅/单壳层(Si@SC)和纯硅颗粒在循环80次后容量则分别降低至719.8和115.3mA·h/g。
Yang等采用Stöber法和热解法在硅纳米颗粒表依次包覆SiO2层和碳层，经HF选择性刻蚀，得到双壳层结构复合材料(Si@void@SiO2@void@C)。
该材料展现出优异的循环稳定性，在460mA/g电流密度下循环430次后，容量保持在956mA·h/g，容量保持率高达83%，而Si@C核壳材料在相同测试条件下，前10次循环容量衰减明显，循环430次后容量不足200mA·h/g。
